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標題: 中芯國際飈逾一成　N+1晶片流片測試獲通過 [打印本頁]

作者: zoomam 時間: 2020-10-13 03:56 標題: 中芯國際飈逾一成　N+1晶片流片測試獲通過

內地一站式IP和定制晶片企業芯動科技發布消息指，完成全球首個基於中芯國際（00981） FinFET N+1先進工藝的晶片流片和測試，所有IP全自主國產，功能一次測試通過。受惠N+1技術突破消息，中芯國際股價全日大升11.5%，收報20.6元，成交額29.9億元。

其他半導體股份亦造好，華虹半導體（01347）收升12.6%，報31.25元；上海復旦（01385）盤中曾高見16.8元，收市報15.7元，升0.3%。

甚麼是「N＋1」工藝?

N+1工藝號稱可與7納米工藝看齊

所謂「N＋1」工藝是中芯國際在第一代先進工藝14nm量產之後的第二代先進工藝的代號。

根據中芯國際聯席CEO梁孟松博此前公佈的信息顯示，N＋1工藝和現有的14nm（納米）工藝相比，性能提升20%，功耗降低57%，邏輯面積縮小63%，SoC面積減少55%。從邏輯面積縮小的數據來看，與7nm工藝相近。

毋須使用EUV光刻機成關鍵

隨著制程不斷進步，中芯國際沿用的DUV深紫外光刻機已經無法滿足精度的要求，去年中芯欲向荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）購買EUV光刻機但受到美國阻撓，令中國知道核心技術的重要性。據早前科技媒體報告，N+1工藝毋須使用EUV技術，令其成為內地晶片生產的希望。

為降低美國對中國半導體行業的打撃，中芯國際正進行去美國化計劃，在年底前在完全不使用外國技術及設備下，實現全國產技術的40nm晶片試產，並且期待在3年內生產更先進的28nm制程，期望在技術上可做到自給自足。

https://inews.hket.com/article/2774400/%E3%80%90%E4%B8%AD%E8%8A%AF%E8%82%A1%E5%83%B9%E3%80%91%E4%B8%AD%E8%8A%AF%E5%9C%8B%E9%9A%9B%E9%A3%88%E9%80%BE%E4%B8%80%E6%88%90%E3%80%80N-1%E6%99%B6%E7%89%87%E6%B5%81%E7%89%87%E6%B8%AC%E8%A9%A6%E7%8D%B2%E9%80%9A%E9%81%8E

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